一般把反应物是气态而生成物之一的固态的反应称为CVD反应,CVD薄膜技术原理是建立在化学反应基础上的。

目前常用的CVD沉积反应一般有以下几种原理:

1、热分解反应

2、氢还原反应

3、置换或合成反应

4、化学输运反应

5、固相扩散反应

CVD技术的优点主要包括以下几个方面：

1、应用范围广

2、成膜速度快

3、工作是在低真空条件下进行的，因此镀膜的绕射性好，在形状复杂，如有深孔，细孔的工件上都能均匀镀膜。

​

4、由于反应气体、反应产物和基片的相互扩散，可以得到附着强度好的镀膜，这对于制备耐磨、抗腐蚀等表面强化膜是很重要的。

5、由于薄膜生长的温度比膜材的熔点低得多，因此能得到高纯度、结晶完全的膜层，这是某些半导体用镀层所必需的。膜层纯度高，结晶完全是由于低温生长，反应气体和反应器壁以及其中所含不纯物几乎不发生反应，对膜层玷污少等原因所致。

6、CVD可以获得平滑的沉积表面。在沉积过程中成核率高，成核密度大，在整个平面上分布均匀，从而可产生宏观平滑的表面。

7、辐射损伤低，这是制造MOS(金属氧化物半导体)等器件不可缺少的条件。

CVD技术的一些缺点主要有：

1、有时参加沉积的反应物及反应后的气体易燃、易爆、有毒或具有腐蚀性，因此需要采取预防措施。

2、欲对基材 局部或某个表面沉积薄膜很困难，

3、反应温度高，一般为1000摄氏度左右。