在真空镀膜层，包含镀制晶态的金属材料、半导体材料、导体和绝缘体等氢氧化物或化学物质膜。尽管有机化学汽相堆积也选用缓解压力、底压或等离子技术等真空泵方式，但一般真空镀膜就是指用物理学的方式 堆积塑料薄膜。真空镀膜有三种方式，即挥发表层的镀膜、磁控溅射表层的镀膜和等离子喷涂。 挥发表层的真空镀膜根据加温挥发某类化学物质使其堆积在固态表层，称之为挥发表层的镀膜。这类方式 最开始由M.法拉第于1857年明确提出，当代已变成常见表层的镀膜技术性之一。
真空镀膜的挥发化学物质如金属材料、化学物质等放置钳锅内或挂在热丝上做为挥发源，待镀产品工件，如金属材料、瓷器、塑胶等衬底放置钳锅正前方。待系统软件抽无上真空泵后，加温钳锅使在其中的物 质挥发
挥发化学物质的分子或分子结构以冷疑方法堆积在衬底表层。塑料薄膜薄厚可由百余埃至数μm。膜厚决策于挥发源的挥发速度和時间（或决策于放料量），并与源和基
片的间距相关
针对大规模表层的镀膜，常选用转动衬底或多挥发源的方法以确保膜层薄厚的匀称性。从挥发源到衬底的间距应低于蒸汽分子结构在残留汽体中的平均自由程，
以防蒸汽分子结构与残气分子结构撞击造成氧化作用。蒸汽分子结构均值机械能约为0.1～0.2电子伏。 真空镀膜的挥发源有三种种类
①电阻丝加热源：用硅化物金属材料如钨、钽做成舟箔或絮状,通以电流量,加温在它上边的或放置钳锅中的挥发化学物质,电阻丝加热源关键用以挥发Cd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等原材料。 ②高频率电磁感应加热源：用高频率感应电动势加温钳锅和挥发化学物质。 ③离子束加温源：适用挥发溫度较高（不少于2000[618-1]）的原材料，即用离子束负电子原材料使其挥发。
